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MOSFET vs IGBT
- MOSFET主要用于低电压和功率系统，而IGBT更适合高电压和功率系统。
1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
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优势：
- 高开关速度和响应速度，适合高频应用。（IGBT不适合高频应用，它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET适合非常高频的应用，它可以在兆Hz频率下运行良好。）
- 较低的导通压降和导通损耗，功率密度高。
- 适用于低至中功率应用，例如电源开关、调制器、放大器等。
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实际应用例子：
- 电源开关：用于电源开关电路中的主要开关器件，控制电流的开关和调节。
- DC-DC转换器：在各种电源管理和转换电路中用于能效高和响应快速的要求。
- 调制器和放大器：在射频和信号处理应用中，用于快速调制和信号处理。
2. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
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优势：
- 高电流密度和低饱和压降，适合高电流和高功率应用。（导通电阻小，功耗低。电压控制，控制功耗也低。）
- 稳定的导通特性和良好的耐受电压特性。
- 适用于中至高功率应用，如变频器、电机驱动器、电磁场的控制等。[对于低频（小于20kHz）、高压（大于1000V）、小或窄负载或线路变化、高工作温度，以及超过5kw的额定输出功率应用，IGBT是首选。而MOSFET更适合低电压（小于250V）、大占空比和高频（大于200KHz）的应用。]
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实际应用例子：
- 变频器：用于工业和家用电机驱动中，控制电机转速和扭矩输出。
- 电机驱动器：用于控制各种类型的电机，如感应电动机、同步电动机等。
- 电网稳定器：在电力系统中用于调节电压和电流，以确保电网稳定和负载管理。
实例
1. MOSFET实例 AO3400A：
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 功率(Pd) | 1.4W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5.8A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.05nF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
- 注：AO3401A为P沟道MOSFET。
2. IGBT实例 IKW50N65H5：
| 特点与优势 | 详细信息 |
|---|---|
| 高速H5技术提供 | - 在硬开关和谐振拓扑中具有最佳效率，可以插拔替换前一代IGBT |
| 击穿电压 | 650V |
| I C I_C IC | 50A |
| 最大工作温度,最大结温 T v j m a x T_{vjmax} Tvjmax | 175°C |
| V C E s a t V_{CEsat} VCEsat | 1.65V |
- 击穿的IGBT，可以将三极管部分集电极断开，当作二极管使用。二极管的ID和耐压和管子的一样，比如1350V20A的IGBT，二极管的参数就是1350V20A