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据BusinessKorea报道，内存巨头SK海力士正深化与台积电(TSMC)及英伟达(NVIDIA)的合作关系，并计划在9月的台湾半导体展(Semicon Taiwan)上宣布更紧密的伙伴关系。

SK海力士与台积电的合作历史已久。2022年，台积电在其北美技术研讨会上宣布成立OIP 3DFabric联盟，吸纳了内存与封装领域的合作伙伴。SK海力士高级副总裁兼PKG开发负责人李康旭透露，公司一直与台积电在历代及当前的高带宽内存(HBM)技术上密切合作，确保与CoWoS工艺及HBM互连的兼容性。

加入3DFabric联盟后，SK海力士拟进一步加强与台积电的合作，共同开发下一代HBM解决方案，旨在系统级产品上实现创新。SK海力士总裁金正郁预计将在9月台北国际半导体展上发表主旨演讲，这将是SK海力士首次参与此类主题演讲。演讲后，金正郁将与台积电及可能包括英伟达CEO黄仁勋在内的高管进行会谈，探讨下一代HBM的合作规划，此举有望进一步稳固SK海力士、台积电与英伟达之间的三方联盟。

今年上半年已有迹象表明三巨头间的合作。4月25日，SK集团会长崔泰源前往硅谷与英伟达CEO黄仁勋会面，讨论可能与此战略相关的议题。

据报道，SK海力士将采用台积电的逻辑工艺制造HBM（高带宽内存）的基板芯片。双方已同意合作开发及生产计划于2026年投入量产的HBM4。HBM技术通过垂直堆叠核心芯片于基板之上并实现互联。虽然SK海力士目前使用自有工艺生产HBM3e的基板，但将转用台积电的先进逻辑工艺来制造HBM4。另有报道指出，SK海力士将在论坛上强调其成就，包括HBM4相比初期目标实现了超过20%的功耗降低。